2大巨頭競爭火熱、英特爾加入混戰行列 韓媒 : AI半導體大戰開打

發表於 2024-04-24 16:00 作者： 區塊鏈情報速遞pro

晶圓代工產能過剩、HBM市場競爭過熱。韓媒稱AI半導體大戰開打。（路透）

高佳菁／核稿編輯

〔財經頻道／綜合報導〕AI關鍵的高頻寬記憶體（HBM）產業持續火熱，南韓兩大巨頭三星電子和SK海力士正在激烈競爭引領人工智慧（AI）的主導地位，以及英特爾（Intel）推出AI晶片「Gaudi 3」突襲輝達（NVIDIA），還有晶圓代工產能過剩的問題壟罩，全球半導體各戰線正在擴大。

到目前為止，輝達一直主導人工智慧晶片市場，在資料中心GPU市場的佔有率約為98%。然而，英特爾現在也加入了競爭行列，於本週二推出了Gaudi 3人工智慧加速器，從輝達手中奪取市佔率。

韓媒Business Korea報導，對AI半導體相當重要的HBM市場，三星電子和SK海力士積極布局，近日競相宣布了下一代半導體量產計畫，市場也聚焦，到底誰能先將這些新產品推向市場。

韓媒指出，這2家公司競相開發第六代HBM4。其中，SK海力士也計劃在2026年實現HBM4量產，並與台積電合作，計畫採用台積電的先進邏輯製程技術生產HBM4。

三星電子是市場上唯一1家擁有完整生產、代工和封裝製程技術的半導體公司，強調其為客戶提供客製化HBM解決方案的能力。為了對抗SK海力士-台積電的合作，三星電子也制定將於明年開發HBM4，並於2026年開始量產的路線圖。

與此同時，DRAM領域的競爭也持續加速。三星電子最近發布了用於設備上人工智慧的低功耗雙倍數據速率5X （LPDDR5X） DRAM，其速度達到創紀錄的10.7Gbps（千兆位元每秒），超過了SK海力士用於行動設備的LPDDR5T，後者去年達到了9.6 Gbps。

此外，三星電子計畫於今年底開始量產第六代10 奈米（nm） DRAM，並於2026年開始量產第七代10奈米DRAM。

目前半導體產業除了記憶體市場火熱，晶片市場則現逆風、出現代工產能過剩的狀況。對此，三星電子已將德州泰勒新晶圓廠量產時間，由2024年底延至到2026年。

對於加強晶片設計能力，傳出三星擴大美國的研發機構，在矽谷建立了先進處理器實驗室（APL），專門從事AI晶片設計。據報導，APL主要開發下一代半導體設計資產、關注RISC-V領域。

韓媒指出，RISC-V是半導體晶片設計的基礎設計資產，該領域主要由英國半導體設計資產公司ARM壟斷，而三星布局RISC-V的舉措，被解讀為邁向技術獨立的一步。

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