迎戰台積電、SK海力士聯手 三星將以4奈米量產HBM4

發表於 2024-07-17 00:00 作者： 區塊鏈情報速遞pro

SK集團會長崔泰源（左）6月間拜會台積電的新任董事長魏哲家，強調雙方合作關係。（資料照，SK集團提供）。

〔編譯魏國金／台北報導〕韓國經濟日報16日報導，為了迎戰台積電與SK海力士的強強聯手，三星電子計畫採用其先進的4奈米製程量產驅動人工智慧（AI）產品的核心晶片：新一代高頻寬記憶體（HBM）。

報導指出，1名業界消息來源說，三星將以4奈米製程生產第6代HBM4的基礎（邏輯）晶片。4奈米製程是三星標誌性的晶片製程，其良率超過70%，三星採用該製程生產旗艦AI手機Galaxy S24的Exynos 2400晶片。

消息來源表示，「4奈米製程遠比7奈米、8奈米製程昂貴，但晶片效能與功耗表現將大幅提升，以10奈米製程生產HBM3E的三星希望以4奈米製程成為HBM領域的龍頭」。

報導說，透過採用4奈米製程，三星正力抗SK海力士與台積電的聯手。SK海力士是全球最大HBM供應商，4月間其與全球代工龍頭台積電合作開發HBM4，以鞏固彼此在AI晶片市場上的地位。

韓國中央日報5月間報導，HBM4將是「改變遊戲規則」的AI半導體，因從HBM4開始，邏輯半導體與記憶體之間的界線開始瓦解，IC設計公司、半導體代工廠以及記憶體公司之間開始爭奪領導地位，而台積電是率先顯露雄心的巨擘。

報導說，HBM的製造是將DRAM晶片堆疊在作為基座的基礎（邏輯）晶片之上，然後將之垂直連結而成。一直到HBM3E，HBM的所有部份，包括基礎晶片都是由三星、SK海力士等記憶體晶片廠生產，然而從邏輯晶片與記憶體合併為一的HBM4開始，基礎晶片是由半導體代工廠製造，這是因為如果基礎晶片採用先進製程，可以包含更多運算功能。

台積電在5月中旬的歐洲技術研討會上宣佈正採用12奈米與5奈米製程，製造用於HBM4的基礎晶片，5奈米製程可被用來達成更高效能，該戰略即是依據客戶要求的效能，客製化HBM4。

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