控告美光侵犯11項專利 長江儲存反擊美國

發表於 2024-07-20 00:00 作者： 區塊鏈情報速遞pro

長江儲存（YMTC）在美國加州對美光科技（Micron）提起訴訟，指控美光侵犯11項專利。（彭博）

吳孟峰／核稿編輯

〔財經頻道／綜合報導〕中國半導體公司長江儲存（YMTC）已在美國加州北區對美光科技（Micron）提起訴訟，指控美光侵犯涉及3D NAND操作的11項專利。長江儲存請求法院命令美光停止在美國銷售美光記憶體晶片，同時判給其特許權使用費。

長江儲存表示，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND 記憶體，以及美光部分DDR5 SDRAM 產品（Y2BM 系列）侵犯其11項專利權。在美國提交的專利或專利清單表明，它們涵蓋3D NAND 和DRAM功能的一般方面，這可意味著長江存儲正試圖讓美光的日子變得更艱難。

美國商務部於2022年底將長江儲存列入黑名單，這使得該公司更難從美國公司獲得先進的晶圓廠設備來製造其市場領先的3D NAND設備。去年，該長江儲存面臨更大的問題，當時美國商務部禁止銷售可用於建造超過128個3D NAND的晶圓廠工具和技術，這對該公司來說是另一個打擊。

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