傳三星8層HBM3E晶片通過輝達測試 內部爆實情：與事實相去甚遠
發表於 2024-08-07 16:00 作者： 區塊鏈情報速遞pro
《路透》引述3位消息人士說法報導，三星（Samsung）第五代HBM3E記憶體晶片的8層版本已經通過輝達（NVIDIA）的測試。（美聯資料照）
歐祥義／核稿編輯
首次上稿:11:47
更新時間:14:32
〔財經頻道／綜合報導〕《路透》引述3位消息人士說法報導，三星（Samsung）第五代HBM3E記憶體晶片的8層版本已經通過輝達（NVIDIA）的測試，預期今年第4季就會展開供應，但12層HBM3E晶片尚未通過輝達測試。對此韓媒則報導指出，三星否認其第5代HBM3E記憶體晶片的8層版本通過測試的報導，並稱「這與事實相去甚遠」。
韓國媒體《BusinessKorea》報導，針對《路透》的報導，三星表示：「我們無法證實與我們客戶相關的報導，但該報導並不屬實。」
三星1位官員表示：「正如我們在上個月的電話會議上所說，品質測試正在進行中，之後沒有任何變化。」
根據《路透》引述消息人士敘述表示，三星和輝達尚未簽署這款已獲通過的8層HBM3E晶片供應協議，但很快將簽署，預期今年第4季就會展開供應。
不過消息人士說，三星的12層HBM3E晶片尚未通過輝達測試。
報導指出，HBM是一種動態隨機存取記憶體或DRAM標準，於2013年首次推出，其中的晶片採用垂直堆疊方式，以節省空間並降低功耗。HBM是AI繪圖處理器（GPU）的關鍵組件，有助於處理複雜應用程序產生的大量數據。
據《路透》5月引述消息人士報導，三星自去年以來，一直在尋求通過輝達對HBM3E以及之前第4代HBM3晶片的測試，但由於發熱和功耗問題而陷入困境。據知情人士透露，該公司此後已修改了HBM3E的設計以解決這些問題。
不過在路透5月發出報導後，三星表示，有關其晶片因發熱和功耗問題未能通過輝達測試的說法不實。
上個月《路透》報導，輝達最近核准了三星HBM3晶片，可用於為中國市場開發的較不複雜的處理器。
而文章指出，輝達批准三星最新的HBM晶片之際，正值生成式AI熱潮對複雜GPU需求飆升，而輝達和其他AI晶片組製造商正在努力滿足這一需求。
TrendForce指出，HBM3E晶片很可能成為今年市場上的主流HBM產品，出貨量將集中在下半年。SK海力士估計，到2027年，HBM記憶體的總體需求年增速可能達到82%。
三星7月曾預測，HBM3E晶片到第4季，將佔其HBM晶片銷量的60%。許多分析師表示，如果其最新的HBM晶片能在第3季前獲得輝達的最終核准，這一目標就可以實現。
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