華為顯露記憶體是美制裁好工具 韓半導體業恐受創

發表於 2023-09-12 00:00 作者： 區塊鏈情報速遞pro

華為Mate 60 Pro中的韓製記憶體，顯示記憶體或許是美國制裁中國的有效工具。（彭博）

〔編譯魏國金／台北報導〕在華為最新Mate 60 Pro手機發現SK海力士的記憶晶片，使韓國半導體企業捲入美中越演越烈的科技戰中。韓國業界憂心，由於韓企獨佔全球記憶體市場，Mate 60 Pro的生產無法以中國自產晶片取代，這可能使美國認定記憶體是制裁中國的有效工具，進而對南韓的半導體產業造成傷害。

韓國媒體《Businesskorea》報導，美國商務部已對Mate 60 Pro搭載的7奈米麒麟9000s晶片展開正式調查。商務部強調，「為了美國國家安全，將毫不遲疑採取適當措施」，這暗示可能根據調查結果實施進一步制裁。

報導說，這可能對南韓半導體產業造成傷害。值得注意的是，上週四彭博報導，在拆解Mate 60 Pro後，發現SK海力士的DRAM與NAND快閃記憶體。自此以來，SK股價暴跌6%。Billionfold資產管理公司執行長安炯鎮（An Hyungjin，音譯）說，「股價似乎反映對美國可能制裁的恐懼」。

自2020年5月美國對華為制裁以來，SK海力士便沒有與華為有生意往來。有消息稱，相關韓製記憶體可能透過其他管道落入華為之手。

根據市場調查公司Omdia的資料，今年第二季，韓企在全球DRAM市佔率達70.1%（三星電子38.2%、SK海力士31.9%），相當於每10支智慧手機就有7支含有韓製DRAM，沒有韓國的DRAM，現實上不可能量產數百萬支智慧手機，因此，儘管華為的Mate 60 Pro使用許多中國元件，但不可能以中國晶片取代韓國的記憶體。

一位半導體業界人士說，「從美國的角度而言，在Mate 60 Pro發現SK的產品或許暗示記憶體是制裁中國的有效工具」。尤其三星電子與SK的中國廠恐成為焦點。三星40%的NAND快閃記憶體在中國西安生產，SK 20%的DRAM與40%的NAND快閃記憶體分別在無錫與大連生產。

去年10月，美國商務部宣布對中國實施半導體設備出口管制，但給予韓國企業1年豁免。南韓政府與企業遊說美國展延該豁免，然而華為事件使美國政府改變立場的疑慮升高。

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