覺悟！韓媒：美中科技戰也是韓中之戰

發表於 2023-12-12 08:00 作者： 區塊鏈情報速遞pro

中國在DRAM與NAND快閃記憶體方面，與韓國龍頭三星的差距，已分別拉近至4年、2年。（彭博檔案照）

〔編譯魏國金／台北報導〕韓國媒體《BusinessKorea》11日報導，今年八月華為推出搭載7奈米晶片的5G智慧手機，立即引發美國要求加強對中國制裁的呼聲，突顯美中科技競爭的全球意義，然而仔細檢視，美中科技競爭也轉化為韓國與中國之間的科技競賽，中國的急起直追，使其DRAM技術落後三星僅4至5年，而NAND快閃記憶體則僅2年。

報導指出，在NAND快閃記憶體領域，中國長江存儲正加大其3D NAND快閃記憶體的量產，緊追三星電子與SK海力士。儘管在DRAM市場的差距還很大，但中國長鑫存儲上月底宣佈新產品開發。

在顯示器領域，京東方宣佈計畫投資有機發光二極體（OLED）新產線，投資規模是三星顯示器3倍之多。在晶圓代工廠方面，三星電子正追趕台積電，但中芯國際以7奈米應用處理器（AP），令全球驚訝。

中國追求半導體的獨立，特別是在三星電子取得領先的DRAM、NAND快閃記憶體，以及晶圓代工領域，加劇韓國與中國的科技競爭。

上月中國DRAM製造商長鑫宣佈生產中國第一款行動低功耗LPDDR5 DRAM。長鑫已正式推出LPDDR5系列產品，其12GB LPDDR5晶片已在小米、傳音（Transsion）等中國智慧手機上得到驗證。

報導指出，技術差距最顯著的DRAM，眼見中國正逼近，三星電子四年前推出其12GB LPDDR5，中國小米、Vivo等智慧手機公司一直使用三星與SK海力士的LPDDR5，然而長鑫的量產成功恐降低中國對進口記憶體的依賴。

韓中在NAND快閃記憶體差距正縮小。今年第三季三星電子市佔率31.4%，居全球之冠，其次是SK海力士的20.2%，然而長江存儲市佔率逐漸升高，在短短3年內從2020年的1%增逾4倍至4.6%。

長江存儲成功研發量產232層3D NAND閃存，緊追SK海力士（238層）和三星電子（236層）。 隨著美國制裁，封鎖取得來自艾司摩爾（ASML）等公司的先進半導體設備，長江存儲在發展中國半導體供應鏈中的角色變得更加重要。中國大基金等今年已向長江存儲投資70億美元，凸顯其重要性。

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