韓半導體技術外洩事件創新高 擬提高刑責

發表於 2024-01-10 00:00 作者： 區塊鏈情報速遞pro

南韓核心技術外洩事件層出不窮，已對三星等企業造成傷害。（路透資料照）

〔編譯陳成良／綜合報導〕隨著全球各國在半導體的競爭日趨激烈，相關的技術洩密案也頻頻發生。據調查，去年南韓國內半導體技術外洩到海外的揭發件數，創下了歷史最高紀錄。南韓大法院（最高法院）量刑委員會計劃討論加強對技術洩漏犯罪的處罰方案，並於今年3月最終表決。

據《東亞日報》報導，據在野中間派政黨「韓國希望」（Hope of Korea）國會議員梁香子透露，國家情報院去年揭發的半導體技術海外洩露事件達13件，創歷年新高，這比2022年的9件增加了44%（4件）。最近，半導體技術海外洩漏事件在2016年至2018年間每年被揭發1起，2019年和2020年分別有3起和6起，呈增加趨勢。

報導分析，這是隨著全球半導體競爭加劇，瞄準南韓技術的海外政府及企業嘗試增加，南韓調查機關也積極進行揭發的結果。

南韓科技業員工帶槍投靠的案例屢見不鮮，韓媒去年12月中報導，一名三星電子前主管，涉嫌將18奈米DRAM晶片技術，賣給中國長鑫儲存，賺取的報酬大約數百萬美元，但造成的損失粗估高達2.3兆韓元，折合約新台幣560億元。

技術洩露不僅在半導體領域，在顯示器、二次電池、汽車、造船等南韓主力產業也全方位發生洩密情事。

南韓政府統計，該國技術機密流向海外的案件，創下10年來新高，光是去年2月到10月，便偵破21起，其中以流向中國的14起最多，日本、美國、越南也包括在內。

法界人士認為，主因在於量刑過輕，自2015年以來，違反南韓《不正當競爭防止法》，和《產業技術保護法》的案件多達835起，其中以緩刑最為常見，佔比36%，其次為罰款和無罪釋放，入獄服刑的比例不到10%。

《東亞日報》報導，大法院量刑委員會8日召開定期會議，就技術洩漏犯罪，討論了法院判決方針的量刑標準上調範圍等。國家核心技術洩露的法定刑期為3年以上有期徒刑，但量刑標準為1年~3年6個月，低於法定刑。因此，產業通商資源部向量刑委員會提出了量刑標準至少應上調至3年6個月~5年的意見。

梁香子告訴該報：「技術洩漏是有計畫、祕密進行的犯罪，因此現在暴露的事件只是冰山一角，應該嚴格處罰洩露者，並徹底建立事前預防系統」。

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