工研院與台積電合作 開發低功耗新世代記憶體

發表於 2024-01-17 11:02 作者： 區塊鏈情報速遞pro

（中央社記者張建中新竹17日電）工研院今天宣布，與台積電合作開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體（SOT-MRAM）陣列晶片，搭配創新的運算架構，適用於記憶體內運算，功耗僅為自旋轉移力矩磁性記憶體（STT-MRAM）的1%。

工研院電子與光電系統所所長張世傑表示，工研院與台積電開發的SOT-MRAM單元，兼具低功耗及10奈秒高速工作等優點，結合電路設計完成記憶體內運算技術，進一步提升運算效能，跳脫MRAM過去以記憶體為主的應用情境。

張世傑說，工研院與台積電合作成果於國際電子元件會議（IEDM）發表論文，展現次世代記憶體技術的研發能量，未來這技術可應用於高效能運算、AI人工智慧及車用晶片等。

工研院致力推動國內半導體市場開啟新興應用，在「智慧化致能技術」應用領域，研究發展非揮發性記憶體創新技術，協助國內產業界發展高價值的技術與產品。（編輯：楊蘭軒）1130117

標題：工研院與台積電合作 開發低功耗新世代記憶體

地址：https://www.coinsdeep.com/article/86187.html

鄭重聲明：本文版權歸原作者所有，轉載文章僅為傳播信息之目的，不構成任何投資建議，如有侵權行為，請第一時間聯絡我們修改或刪除，多謝。