SK海力士力壓三星 去年Q4終結1年虧損

發表於 2024-01-25 16:00 作者： 區塊鏈情報速遞pro

SK海力士僅花1年的時間，2023年第4季營運順利轉虧為盈，表現優於同業。（美聯）

高佳菁／核稿編輯

〔財經頻道／綜合報導〕受惠於HBM業績太亮眼，南韓記憶體大廠SK海力士在2023年第4季終結了連續4個季度的虧損。裏昂證券南韓分析師桑吉夫·拉納 （Sanjeev Rana） 表示，這是儲存行業同行中，第1家從一系列虧損中走出來的公司。

半導體記憶體市況反彈，SK海力士僅花費1年，就擺脫了從2022年第4季以來的營業虧損。

據報導，SK海力士第4季HBM3的銷量猛增5倍以上，DDR5晶片的銷量也增加了4倍多。SK海力士預計，2024年DRAM和NAND的需求，將以中位數至高位數的百分比成長，這與今年市場反彈的預測相呼應。

SK海力士的DRAM部門在連續2季虧損後，於截至2023年9月的3個月內恢復獲利，因平均售價上漲，晶片價格在減產後也轉趨穩定。

SK海力士2023年第4季營收為11.3055兆韓元（約新台幣2650億元），營業利益為0.346兆韓元（約新台幣81.16億元），淨虧損為1.3795兆韓元（約新台幣321億元）。2023年第4季營業利益率為3%，淨虧損率為12%。

SK海力士表示，將在2024年增加資本支出，同時盡量減少對供需平衡的破壞，並將持續量產AI記憶體產品HBM3E，專注於高頻寬記憶體等策略產品。

市場認為，AI浪潮推動市場對高頻寬記憶體（HBM）需求大增。面對 HBM 商機湧現，被sk海力士力壓的三星電子（Samsung Electronics），將全力搶攻HBM市場，挑戰SK 海力士（SK hynix）的 HBM 一哥地位，HBM3e將是主戰場。

標題：SK海力士力壓三星 去年Q4終結1年虧損

地址：https://www.coinsdeep.com/article/88764.html

鄭重聲明：本文版權歸原作者所有，轉載文章僅為傳播信息之目的，不構成任何投資建議，如有侵權行為，請第一時間聯絡我們修改或刪除，多謝。