傳英特爾18A製程良率不到10％ 翻身雙重挑戰

發表於 2024-12-06 16:00 作者： 區塊鏈情報速遞pro

最近的報告表明，英特爾的18A製程正面臨巨大的良率挑戰，可能推遲其大規模生產時間表。（示意圖，法新社）

吳孟峰／核稿編輯

〔財經頻道／綜合報導〕英特爾原本寄望雄心勃勃的18A製程能讓公司營運翻轉，但現在於接近量產時，除了面臨相較台積電N2製程，英特爾靜態隨機存取記憶體（SRAM）密度存在嚴重劣勢之外，還有另一個大麻煩是良率低於10%。。這兩大挑戰可能阻礙18A在英特爾下一代CPU、人工智慧和客製化晶片產品組合中的部署。

最近的報告表明，英特爾的18A製程正面臨巨大的良率挑戰，可能推遲其大規模生產時間表。據韓國Chosun報導，目前的良率低於10%，意味著每生產10個晶片就有近9個有缺陷。

Techspot報導，這是一個主要問題，特別因為英特爾已取消Foundry客戶的20A（2奈米等級）製程，並將資源轉移到 18A（1.8奈米等級）製程。如果低於10%的良率被證明是真的，則可能會使該製程不適合商業生產。

另根據2025國際固態電路研討會先進計畫，英特爾的18A SRAM密度大幅低於台積電的N2，較接近台積電的3奈米（N3）。

英特爾18A在預計2025年產量提升之前，該公司仍有幾個月的時間來完善該製程，如果成功，潛在的回報是巨大的，18A預計將為英特爾的Clearwater Forest伺服器晶片、Panther Lake行動CPU和客製化AI晶片等備受矚目的產品供電。

英特爾的18A是繼20A之後，第二個使用全方位閘極（Gate-All-Around）RibbonFET電晶體和背部供電技術（PowerVia）的製程技術。與2奈米級製程相比，18A製程優化了RibbonFET設計，從而提高10%的性能功耗比，這種技術對需要大量功率的資料中心級產品尤為關鍵。

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