急死三星 AI記憶體今年獲輝達認證無望

發表於 2024-12-13 00:00 作者： 區塊鏈情報速遞pro

外媒指出，由於三星仍然無法通過輝達認證，今年恐無法供應輝達 HBM3E。（資料照，法新社）

陳麗珠／核稿編輯

〔財經頻道／綜合報導〕對於已經錯失AI先機的三星電子而言，目前最著急的就是打入輝達供應鏈。外媒12日指出，由於三星仍然無法通過輝達認證，今年恐無法供應輝達 HBM3E 高頻寬記憶體。報導還強調，由於競爭對手SK 海力士將門檻定得很高，以至於三星很難獲得輝達的認證和訂單。

外媒Wccftech報導，三星無法在輝達的供應鏈佔一席之地，主因該公司的HBM3E 無法通過輝達訂定的測試和 HBM 標準，三星日前對投資人的報告已承認這個事實。

報導引述韓媒 Daily Korean 的最新報導稱，三星 2024 年向輝達供應 HBM3E的期望，現在看起來幾乎不可能，2025 年會比較樂觀。

報導認為，三星無法在 2024 年向輝達供應 HBM3E，表明在 HBM 的市場競爭當中，三星的宿敵 SK 海力士持續穩居領先地位。外傳，三星未能通過輝達認證的主要原因，是 SK 海力士將門檻定得很高，尤其是 SK 海力士在當中使用MR-MUF 等先進製程技術，導致三星很難獲得輝達的認證和訂單。

曾經在 HBM 和 NAND 等記憶體產品市場取得先機的三星，目前正失去逐漸優勢，因為 SK 海力士和美光等競爭對手，已經向市場供應相關產品，三星卻不見蹤影。

不僅如此，即使在 NAND Flash 領域，SK 海力士也成為全球第一家量產 321 層堆疊解決方案的製造商，三星則預計最快要到 2025 年上半年末，才能提供領先的 400 層堆疊 NAND Flash，顯示其領先的程度漸消失。

報導稱，對三星來說，並非一切都很悲觀，該公司預計最早將於 2025 年第一季開始向輝達等客戶供應 HBM3E。另外，三星還將憑藉下一代 HBM4 製程技術，期望重新領先競爭對手。只是，SK 海力士已經和台積電合作，進一步開發 HBM4 的產品。所以，三星必須盡速採取行動，才能引起業界關注。

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