首傳中芯開發3奈米 台積電叛將梁孟松操刀

發表於 2023-12-23 00:00 作者： 區塊鏈情報速遞pro

外媒報導，中芯國際持續致力5奈米和3奈米級製程技術，並已成立一個專門研發團隊。（歐新社）

〔記者吳孟峰／綜合報導〕據《日經新聞》報導，儘管中國中芯國際由於美國制裁而無法獲得先進的晶片生產設備，在開發7奈米製造後，據稱已成立一個研發團隊，致力於5奈米和3奈米級製程技術研究，據兩位知情人士透露，該團隊由聯合執行長梁孟松領導。

梁孟松是台積電前資深研發處長，他於2009年初離開台積電後，率多位團隊成員投效韓國三星，涉洩漏台積電營業祕密及人事資料，之後又被中芯國際挖角，2017年擔任中芯聯合首席執行官，替中芯開發7奈米製程技術，對於被外界稱為台積電叛將，他曾不滿被貼上標籤，哽咽表示為台積電賣命16年。

不過，台積電前首席法律顧問杜東佑（Dick Thurston） 今年早些時候曾告訴科技媒體EE Times，他說 ：「沒有比這個人（梁孟松）更聰明的科學家或工程師了」、「他確實是我在半導體領域見過的最聰明的人之一」。

中芯國際從中國的一家小型代工廠到成為業界第5大晶片代工商，在中美關係日益緊張的情況下，該公司被列入美國商務部實體名單，無法使用領先的晶圓廠工具，嚴重減緩新製程技術的採用和發展進度。

科技媒體tomshardware報導，由於中芯無法從ASML獲得極紫外線（EUV）曝光設備，因此只能借重第二代7奈米製程深紫外線（DUV）曝光機。目前，ASML的Twinscan NXT:2000i曝光機是中芯所擁有的最好的工具，可以蝕刻精細至38nm的生產解析度，精度等級足以適用7奈米級製造。根據ASML和IMEC的數據，在5奈米製程中，金屬間距縮小至30–32nm，在3奈米製程中，金屬間距則降至21–24nm。

Thurston認為，在聯合執行長梁孟松的領導下，中芯可以在不使用EUV工具的情況下生產5奈米晶片，雖然業界也已多次聽到這類消息，然而，從媒體上傳出中芯有能力設計以DUV製造3奈米級，這可能還算是第一次。

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